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三星斥巨资 欲抑制中国存储器发展
IC Insights估计，今年三星260亿美元的半导体支出将分成几部分： 3D NAND闪存：140亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长） DRAM：70亿美元（用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外
2017-11-28
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三星斥巨资投入至半导体行业
据悉，今年三星豪掷260亿美元至半导体行业，被称为半导体史上最大的投资额度。三星的巨额投资将会影响该行业未来的格局，或有可能影响中国储存器厂商的发展。
2017-11-28
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NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度
由于技术转换，2D NAND产量缩小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足，价格疯涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0 12美元上涨到0 3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品超过80%。J
2017-11-27
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美光64层3D NAND后将超过72层数
近两年，几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND，美光的3D NAND Flash在2016年底量产，第二代64层3D NAND于2017年进入量产，由32层32GB开始做起，现在已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示，
2017-11-27
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DRAM、NAND量产竞争
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保存很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如
2017-11-23
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SSD出货量大幅度下滑
这一年来SSD价格虽然持续高涨，但一直处于生机勃勃的状态，技术创新也不断出现，但是，由于NAND Flash供货吃紧的状况还是没有彻底缓解，
2017-11-23
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