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明年苹果和三星有望引领7nm芯片制造
据报道，因为成本问题，2018年应该只有苹果和三星这两家智能手机厂商和有望引领7nm芯片制造，推出采用7nm芯片处理器的智能手机。
2017-12-18
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比NOR和NAND闪存快千倍的ReRAM在中国量产
内存芯片设计公司Crossbar利用中芯国际的40纳米工艺，成功做到ReRAM芯片量产，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度比NAND闪存快1000倍。
2017-12-18
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三星发布512GB闪存芯片
随着互联网的快速发展，手机的存储技术对人们来说越来越重要，但之前，手机的存储技术再好也比不上电脑。据报道，三星推出了512GB专用芯片，主要是为移动设备而开发，这也就说明在不久
2017-12-15
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3D NAND明年开始量产
固态硬盘终于要降价了，多年供不应求的局面将会得到改善，预计明年年初为3D NAND开始走向正轨。
2017-12-14
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三星量产第2代10nm FinFET
三星近日宣布开始大规模量产以第2代10nm FinFET制程技术(10LPP)为基础的单芯片系统(SoC)产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在2018年第一季问市。
2017-12-12
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DDR5内存技术参数公布
据报道，Rambus首次公布HBM3 DDR5内存技术参数，最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被业界认为是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不能够在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷
2017-12-08
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