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低功耗LPSRAM
低功耗静态存储器(LOW POWER SRAM) 低功耗SRAM芯片作为静态随机存储器的一种类别; 特征为功耗低,速度快,一般容量在1/4/8/1616Mbit: 属于易失性存储芯片,掉电后数据会产生丢失: 主要应用于内置电池,并对功耗非常敏感的产品,如POS机,手持设备等:
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串行Serial SRAM
串行存储器芯片(Serial SRAM) 串行Serial SRAM为了满足更小管脚的设计跟更小PCB板尺寸而衍生出来的一款存储器; 存储器在高速性能并非最重要因素的其它存储器(DRAM、闪存等)中,串行接口已经取代了并行接口; 在SRAM市场中一直处于小众地位,在空间非常有限的特定应用中,它们一直是低功耗、小尺寸替代方案;
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异步快速Async Fast
异步快速存储器芯片(Async Fast SRAM) 一般来说单片机MCU会采用异步静态岁级存储器, 另外有些以并行方式接口的模拟/数字I/O器件,如A/D、D/A、开入/开出等,也会采用异步静态随机存储器, 静态随机存储器比DRAM快些,并依赖于CPU的时钟, 存取速度有12ns、15ns和18ns三种,值越小,表示存取数据的速度越快。
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同步高速Sync High Speed
同步高速存储器芯片(Sync High Speed SRAM) 同步高速静态存储器是指Memory工作需要步时钟, 内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;随机是指数据不是线性依次存储, 而是由指定地址进行数据读写。 对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。 这一点与异步SRAM不同,异步SRAM的访问独立于时钟,数 据输入和输出都由地址的变化控制。
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国产SRAM芯片
国产SRAM芯片 XRAM是一款基于TLC DRAM(三态 DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM) 专利技术而成的新型X型随机存储器,可用于替换传统DRAM和SRAM, 相对比DRAM产品在数据读取速率约快10倍以上, 延时速度10ns,可提供千兆级容量存储, 可随时访问速度不需要刷新机制,在性能上接近于SRAM产品, 并提供SRAM接口便于应用设计。
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