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串行总线接口MRAM
串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行，没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同，MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb，数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据，防止在
2017-10-26
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台积电斥巨资建3纳米工艺芯片制造厂
虽然台积电不是一个众所周知的品牌，但它其实是智能手机元器件制造领域的巨头之一。联发科、高通和苹果等公司自己设计芯片，然后由台积电进行制造的。
2017-10-26
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