产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
DDR5介面芯片的存储器频宽与密度都比DDR4更高2倍
市场研究公司WebFeet Research总裁Alan Niebel表示：“市场将会非常需要DDR5 但它仍然是DRAM，而且也很耗电。它推动了传统的冯•诺伊曼(Von Neuman)系统进展，但我们仍然需要持续推出持久型存储器替
2017-11-30
查看详情 >
替代型存储器崛起
CPU供应商预计将使其处理器的DDR通道数从12个增加到16个通道，因此可能使主存储器的容量从现有的64GB提高到128GB。
2017-11-29
查看详情 >
存储器世代即将来到DDR5 (第五代双倍数据率)的时代
存储器频宽与密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存储器介面芯片研发成功，预计最快在2019年量产，将为服务器的主存储器带来更高效能与功率管理…
2017-11-29
查看详情 >
三星斥巨资 欲抑制中国存储器发展
IC Insights估计，今年三星260亿美元的半导体支出将分成几部分： 3D NAND闪存：140亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长） DRAM：70亿美元（用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外
2017-11-28
查看详情 >
三星斥巨资投入至半导体行业
据悉，今年三星豪掷260亿美元至半导体行业，被称为半导体史上最大的投资额度。三星的巨额投资将会影响该行业未来的格局，或有可能影响中国储存器厂商的发展。
2017-11-28
查看详情 >
NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度
由于技术转换，2D NAND产量缩小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足，价格疯涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0 12美元上涨到0 3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品超过80%。J
2017-11-27
查看详情 >
926条
上一页
1
..
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
