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比NOR和NAND闪存快千倍的ReRAM在中国量产
内存芯片设计公司Crossbar利用中芯国际的40纳米工艺，成功做到ReRAM芯片量产，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度比NAND闪存快1000倍。
2017-12-18
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三星发布512GB闪存芯片
随着互联网的快速发展，手机的存储技术对人们来说越来越重要，但之前，手机的存储技术再好也比不上电脑。据报道，三星推出了512GB专用芯片，主要是为移动设备而开发，这也就说明在不久
2017-12-15
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3D NAND明年开始量产
固态硬盘终于要降价了，多年供不应求的局面将会得到改善，预计明年年初为3D NAND开始走向正轨。
2017-12-14
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三星量产第2代10nm FinFET
三星近日宣布开始大规模量产以第2代10nm FinFET制程技术(10LPP)为基础的单芯片系统(SoC)产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在2018年第一季问市。
2017-12-12
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DDR5内存技术参数公布
据报道，Rambus首次公布HBM3 DDR5内存技术参数，最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被业界认为是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不能够在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷
2017-12-08
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中国加快入局智能芯片领域
在今年8月份，中国国家开发投资公司旗下一只投资基金领投了人工智能芯片创业公司寒武纪科技，金额达1亿美元。寒武纪科技11月6日时发布了两款服务器芯片，能在部分人工智能项目中替代英
2017-12-07
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