产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
美光64层3D NAND后将超过72层数
近两年，几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND，美光的3D NAND Flash在2016年底量产，第二代64层3D NAND于2017年进入量产，由32层32GB开始做起，现在已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示，
2017-11-27
查看详情 >
双口sram特点介绍
（1）对同一地址单元访问的竞争控制 如果同时访问双口RAM的同一存储单元，就会导致数据访问失真。为了防止冲突的发生，采用Busy逻辑控制，也称硬件地址仲裁逻辑。此处只给出了地址
2017-11-24
查看详情 >
双口sram简介
随机存取存储器（英语：Random Access Memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也称为主存。它可以随时读写，而且速度很快，一般是作为操作系统或其他正在运行
2017-11-24
查看详情 >
DRAM、NAND量产竞争
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保存很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如
2017-11-23
查看详情 >
SSD出货量大幅度下滑
这一年来SSD价格虽然持续高涨，但一直处于生机勃勃的状态，技术创新也不断出现，但是，由于NAND Flash供货吃紧的状况还是没有彻底缓解，
2017-11-23
查看详情 >
三星扩产NAND Flash 明年恐将供过于求
三星(Samsung)今年资本支出将增长至260亿美元，其中，又将以3D NANDFlash为发展主力，研调机构IC Insights认为，如此一来，3D NANDFlash恐怕会出现将供过于求的现象。
2017-11-22
查看详情 >
926条
上一页
1
..
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
