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存储器世代即将来到DDR5 (第五代双倍数据率)的时代
存储器频宽与密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存储器介面芯片研发成功，预计最快在2019年量产，将为服务器的主存储器带来更高效能与功率管理…
2017-11-29
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三星斥巨资 欲抑制中国存储器发展
IC Insights估计，今年三星260亿美元的半导体支出将分成几部分： 3D NAND闪存：140亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长） DRAM：70亿美元（用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外
2017-11-28
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三星斥巨资投入至半导体行业
据悉，今年三星豪掷260亿美元至半导体行业，被称为半导体史上最大的投资额度。三星的巨额投资将会影响该行业未来的格局，或有可能影响中国储存器厂商的发展。
2017-11-28
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NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度
由于技术转换，2D NAND产量缩小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足，价格疯涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0 12美元上涨到0 3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品超过80%。J
2017-11-27
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美光64层3D NAND后将超过72层数
近两年，几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND，美光的3D NAND Flash在2016年底量产，第二代64层3D NAND于2017年进入量产，由32层32GB开始做起，现在已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示，
2017-11-27
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双口sram特点介绍
（1）对同一地址单元访问的竞争控制 如果同时访问双口RAM的同一存储单元，就会导致数据访问失真。为了防止冲突的发生，采用Busy逻辑控制，也称硬件地址仲裁逻辑。此处只给出了地址
2017-11-24
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