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ST-MRAM类别及发展由来
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流
2020-01-14
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串行及并行接口SRAM区别之处
外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶。
2020-01-10
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缓存应用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特尔显示了2MB STT-MRAM阵列的L4缓存级应用程序性能和可靠性。这要求在工业操作温度范围内具有高密度，高带宽和高耐久性。表I中所显示STT-MRAM的L4高速缓存应用程序所需的规范。
2020-01-08
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预期Nand-flash内存需求市场及价格涨
威刚也指出，资料中心库存已回复正常，需求可望逐步回温提升，固态硬盘（SSD）与智能手机搭载容量成长，NAND Flash需求强劲，价格稳定态势有机会延续到第4季。
2020-01-06
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SPI NAND Flash满足小型化需求
随着5G网络即将带来的数据狂潮，万物互联对存储芯片有了更高的需求，目前SPI SLC NAND 在PON、网通模块、监控等领域也逐步普及，SPI NAND有更快的写入速度，且对于频繁擦写有着更高的稳定性。
2020-01-02
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灵动微MCU国产替代的本土芯片厂商
32位MCU是重点产品。这主要是基于未来物联网的市场发展方向，MCU在未来具有想象不到的大市场，因为几乎每一台设备每一个端都需要一颗MCU。未来物联网需要很多无线连接，
2019-12-30
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