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存储器芯片涨幅远大于合约价
目前主要存储器大厂正密集与系统 模组厂进行第2季合约价议价。渠道商透露出包括三星等主要的供应商已经通知调涨下季DRAM、NAND Flash合约
2020-03-30
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超低功耗ST-MRAM内存架构
目前有研究人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构，称为Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说，SL-ST-MARM同时实现了超高MR比，高速开关和低RA。
2020-03-26
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FLASH擦写寿命流程
由于硬件成本原因，在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块，通常我们可以采用在片内Flash 存储器中保存非易失性数据的应用方式来达
2020-03-24
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NAND Flash供不应求
根据集邦咨询半导体研究中心最新调查，2019年第四季度的NAND Flash销售总量季增近10%，市场开始出现逐渐供不应求。研究中心认为内存芯片市
2020-03-20
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MRAM代替DRAM可防止数据丢失
STT-MRAM具有出色的工艺微缩能力，并且可以很容易地整合到当前的晶圆工艺中。与需要不断刷新的DRAM不同，STT-MRAM储存数据并不需要消耗功率。用MRAM代替DRAM可以防止数据丢失
2020-03-18
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嵌入式MRAM适用于物联网设备应用
MRAM技术自20世纪90年代以来一直在发展，但尚未取得广泛的商业成功。三星研发中心的首席工程师认为现在是展示可制造和商业化的时候了。除了
2020-03-16
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