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SRAM基本单元的3种状态
SRAM的基本单元有3种状态：standby (电路处于空闲), reading (读)与writing (修改内容) SRAM的读或写模式必须分别具有 "readability "（可读）与 "write stability "（写稳定）
2020-02-25
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MR25H256-256Kb串行SPI接口MRAM
MR25H256 MR25H256A是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（ SPI）总线。
2020-02-21
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汽车电子MCU设计方法
针对汽车电子领域来讲，将对整车级、零部件级的电磁兼容要求强制性标准，结合到集成电路中的设计，才能使电路更易于设计出符合标准的最终产
2020-02-19
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MRAM场合应用的例子
MRAM目前处于锁定三大技术的早期阶段：其一是作为非挥发性存储器(NVM)领域的替代方案，特别是嵌入式NOR flash。此外它还可以作为传统CMOS
2020-02-17
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外部SRAM的优缺点
部SRAM存储器所提供比片内存储器更大的存储容量，速度则是相当快，但是稍略逊于片内存储器。常用的外部SRAM的容量可达128KB至10MB。
2020-01-20
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三星预计2020年MRAM达到16nm
MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。良率的提升除了晶圆厂各自在制程上的努力之外，机器设备厂商也出力甚多，这是几家大机器设备厂商先后投入这即将兴起设备市场良性竞争的结果。
2020-01-19
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