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外部SRAM的优缺点
部SRAM存储器所提供比片内存储器更大的存储容量，速度则是相当快，但是稍略逊于片内存储器。常用的外部SRAM的容量可达128KB至10MB。
2020-01-20
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三星预计2020年MRAM达到16nm
MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。良率的提升除了晶圆厂各自在制程上的努力之外，机器设备厂商也出力甚多，这是几家大机器设备厂商先后投入这即将兴起设备市场良性竞争的结果。
2020-01-19
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存储器SRAM仍是主流市场
低功耗SRAM存储芯片，属于静态随机存储器芯片，产品的容量范围为1 4 8 16Mb，常用容量为8Mb，电压范围在1 8V 3 3V 5V ，部分器件有宽电压的电压范围，速度在44 55 75ns
2020-01-16
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ST-MRAM类别及发展由来
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流
2020-01-14
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串行及并行接口SRAM区别之处
外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶。
2020-01-10
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缓存应用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特尔显示了2MB STT-MRAM阵列的L4缓存级应用程序性能和可靠性。这要求在工业操作温度范围内具有高密度，高带宽和高耐久性。表I中所显示STT-MRAM的L4高速缓存应用程序所需的规范。
2020-01-08
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