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非易失性Flash详解
Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器,其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片
2020-12-04
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嵌入式STT-MRAM效应与流致反转
最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场,使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程,因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
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SRAM的容量扩展
通常微处理器的数据总线为8位和16位或32位,而地址总线为16位或24位不等。当静态RAM的地址线和数据线不能与微机相匹配时,可用地址线扩展和
2020-11-30
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如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验,如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间,大约要用2200uA的功耗去做写
2020-11-26
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提升SRAM性能的传统方法
随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注 这类芯片对性能和功耗要求苛刻 静态随机存储器(SRAM)作为
2020-11-24
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传统存储器和新兴存储器应用
旧版存储不再是使用寿命短的低端设备,因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以
2020-11-20
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