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非易失性存储器平衡方法
非易失性存储器在高级节点上变得越来越复杂，在高级节点上的价格和速度，功率和利用率正在成为一些非常特定于应用程序的折衷，以决定该存储
2020-09-09
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EEPROM与内存Flash消耗能量计算
本篇文章存储芯片供应商宇芯电子要介绍的是非易失性存储器EEPROM与Flash消耗能量计算。首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3 3V EEPRO
2020-09-07
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串行MRAM消耗的能量
MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑
2020-09-03
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SRAM的基础模块存有三种情况
SRAM是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数
2020-09-01
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Everspin MRAM内存技术如何工作
Everspin Technologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm
2020-08-28
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Everspin MRAM MR2xH40xDF可替换CY15B104QN
Everspin器件是一个40MHz 50MHzMRAM，工作于2 7V-3 6V，标称Vdd=3 3V，而SPIFRAM具有更宽的工作电压范围（1 8V至3 6V）。在使用SPI-MRAM替
2020-08-26
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