产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
资讯动态
行业案例
>
资讯动态
>
资讯动态
主页 >
案例&资讯
›
资讯动态
›
列表
电机驱动MCU通用功能和技术点解析
电机驱动MCU技术要点它是电机控制器即动力输出。通俗点就是你要加速他让电机转得快一些，要刹车他能让电机转的慢一点。所以他有如下特点：
2021-02-01
查看详情 >
非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来
2021-01-28
查看详情 >
Nand Flash控制器将上涨约15~20%
集邦咨询：上游晶圆代工产能紧缺，NandFlash控制器将上涨约15~20%根据集邦咨询旗下半导体研究处调查显示，受限于上游台积电与联电等晶圆代
2021-01-26
查看详情 >
MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市
2021-01-22
查看详情 >
将赛普拉斯nvSRAM替换为MRAM
本章节对赛普拉斯 4 Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II（薄小外型封装-II 类型）和 48球型焊盘 FBGA
2021-01-20
查看详情 >
ISSI代理stm32扩展sram芯片IS62WV51216EBLL
IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，组织为512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出
2021-01-15
查看详情 >
407条
上一页
1
..
34
35
36
37
38
39
40
41
42
..
68
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
