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SRAM的基本原理
SRAM不存在刷新的问题。一个SRAM基本存储单元融个晶体管和两个电阻器构成,它并不利用电容器来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现的
2020-12-15
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MCU涨价的主要因素还得从供需来看
首先需求方面来说，疫情导致在线教育与办公需求增长，导致对应的驱动IC、电源管理IC及功率元件需求增长，而一季度之后，疫情得到有效遏制，
2020-12-11
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NAND FLASH系统的权衡利弊
NAND FLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时
2020-12-09
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易失性存储DRAM详解
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每
2020-12-08
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非易失性Flash详解
Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片
2020-12-04
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嵌入式STT-MRAM效应与流致反转
最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
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