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使用扩展SRAM设计的存内计算
最近的ISSCC上，台积电的研究人员提出了一种基于数字改良的SRAM设计存内计算方案，能支持更大的神经网络 上图显示了台积电用于其测试的扩展
2021-03-18
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SK海力士收购英特尔NAND闪存业务再获许可
根据Bloomberg的报道，SK海力士就拟议的英特尔NAND闪存业务收购获得了美国外国投资委员会(简称CFIUS)的许可。这是自去年美国联邦贸易委员会
2021-03-12
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everspin代理并口MRAM存储芯片MR4A16B
MR4A16B是一个16,777,216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1,048,576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读 写时序，具有无限
2021-03-09
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Nand Flash六大厂商未来规划曝光
展望2021年，集邦咨询认为第一季度供给端由于三星（Samsung）、长江存储（YMTC）积极扩产以及各供应商均转进更高层数等影响，位元产出将显
2021-03-05
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NOR Flash来自“5G、汽车、工业”的技术挑战
NOR Flash从产品设计和制造工艺及封测及应用来看，相比消费类电子、5G基站、汽车电子和工业电子更加考验NOR Flash的综合实力。5G基站、汽
2021-03-03
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MCU台系两大厂证实停止接单
国际电子商情24日获悉，由于8吋晶圆代工紧缺导致各类半导体，尤其是MCU价格水涨船高，但需求强劲依旧。由于客户订单持续涌入，两家知名MCU
2021-03-01
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