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FLASH擦写寿命流程
由于硬件成本原因，在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块，通常我们可以采用在片内Flash 存储器中保存非易失性数据的应用方式来达
2020-03-24
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带ECC的CMOS汽车异步SRAM
ISSI IS61 64WV5128EDBLL是高速，4,194,304位静态RAM，组织为524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可提供高性能和高性能低功耗设备。
2020-03-23
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NAND Flash供不应求
根据集邦咨询半导体研究中心最新调查，2019年第四季度的NAND Flash销售总量季增近10%，市场开始出现逐渐供不应求。研究中心认为内存芯片市
2020-03-20
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QDR与DDR SRAM
由赛普拉斯、瑞萨、IDT、NEC和三星公司组成的QDR协会开发出了QDR SRAM，旨在通过把性能提升为原先的4倍来满足那些不仅需要标准ZBT(零总线
2020-03-19
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MRAM代替DRAM可防止数据丢失
STT-MRAM具有出色的工艺微缩能力，并且可以很容易地整合到当前的晶圆工艺中。与需要不断刷新的DRAM不同，STT-MRAM储存数据并不需要消耗功率。用MRAM代替DRAM可以防止数据丢失
2020-03-18
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SuperPro支持MRAM技术
XeltekSuperPro编程支持EverspinTechnologies，Inc 的并行I OSRAM接口和SPI串行接口MRAM产品。Everspin的用于并行I OSRAM接口和SPI串行接口MRAM产品的Xeltek编程器。
2020-03-17
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