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超低功耗ST-MRAM内存架构
目前有研究人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构，称为Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说，SL-ST-MARM同时实现了超高MR比，高速开关和低RA。
2020-03-26
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意法半导体MCU将IoT功能提升新高度
智慧城市提供的服务越来越多，而用于收费的服务也逐渐增多。随着城市物联网(IoT)基础设施不断扩展，当地企业自然而然地也开始加以利用。在
2020-03-25
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FLASH擦写寿命流程
由于硬件成本原因，在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块，通常我们可以采用在片内Flash 存储器中保存非易失性数据的应用方式来达
2020-03-24
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带ECC的CMOS汽车异步SRAM
ISSI IS61 64WV5128EDBLL是高速，4,194,304位静态RAM，组织为524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可提供高性能和高性能低功耗设备。
2020-03-23
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NAND Flash供不应求
根据集邦咨询半导体研究中心最新调查，2019年第四季度的NAND Flash销售总量季增近10%，市场开始出现逐渐供不应求。研究中心认为内存芯片市
2020-03-20
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QDR与DDR SRAM
由赛普拉斯、瑞萨、IDT、NEC和三星公司组成的QDR协会开发出了QDR SRAM，旨在通过把性能提升为原先的4倍来满足那些不仅需要标准ZBT(零总线
2020-03-19
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