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富士通FRAM为无电池技术提供了解决方案
实际上已确认内置有FRAM的演示设备已经能够在没有电池的状态下写入数据。也就是说FRAM通过自身的“非易失性”及“高速写入”，实现了低能耗，为无电池技术提供了解决方案。
2020-04-14
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每秒54Mb速度传输数据的富士通FRAM
富士通FRAM MB85RQ4ML是采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为524,28个8字X 8位。
2020-04-13
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意法半导体MCU推出智能嵌入式应用的STM32L4
意法半导体新推出的STM32L4+微控制器极具性价比，集成最低的存储容量512KB的闪存和320KB的SRAM，提供紧凑的10mmx10mm64引脚和7mmx7mm48引脚
2020-04-10
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Everspin MRAM磁场抗扰度
Everspin Technologies，Inc 是设计，制造和商业销售分立和嵌入式MRAM存储器到市场和应用程序的全球领导者，在这些市场和应用程序中，数据
2020-04-09
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赛普拉斯和Everspin MRAM器件区别是nvSRAM上的引脚
赛普拉斯和Everspin器件之间的主要区别是nvSRAM上的两个引脚：VCAP和 HSB。这些引脚用于支持nvSRAM备份周期，并且对于MRAM的操作不是必需
2020-04-08
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选择MRAM的理由
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以
2020-04-07
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