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外部SRAM的优缺点
部SRAM存储器所提供比片内存储器更大的存储容量，速度则是相当快，但是稍略逊于片内存储器。常用的外部SRAM的容量可达128KB至10MB。
2020-01-20
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三星预计2020年MRAM达到16nm
MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。良率的提升除了晶圆厂各自在制程上的努力之外，机器设备厂商也出力甚多，这是几家大机器设备厂商先后投入这即将兴起设备市场良性竞争的结果。
2020-01-19
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可穿戴电子设备中的SRAM
在所有可用的存储器中，SRAM是用作外部高速缓存的最佳选择。因为它与DRAM相比待机电流消耗较低，而且其存取时间也比DRAM和闪存更短。
2020-01-17
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存储器SRAM仍是主流市场
低功耗SRAM存储芯片，属于静态随机存储器芯片，产品的容量范围为1 4 8 16Mb，常用容量为8Mb，电压范围在1 8V 3 3V 5V ，部分器件有宽电压的电压范围，速度在44 55 75ns
2020-01-16
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MCU软件技术必将迎来新的发展浪潮
MCU软件开发主流平台KEIL将自己的和第三方提供的中间件集成在同一开发平台上。MCU软件开发时，只需要将这些中间件集成到自己的软件中，就可实现相应的功能。
2020-01-15
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ST-MRAM类别及发展由来
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流
2020-01-14
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