产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
SRAM中灵敏放大器的原理
在SRAM 中，读操作开始前，先要对两条位线进行预充电，将两条位线初始化为相同的高电平。预充完后，字线选中的存储单元对位线进行充放电。
2020-05-08
查看详情 >
铁电RAM的优势
随着使铁电存储器FRAM的非挥发性，利用晶体的偏振提供了许多优于基于电荷的存储技术的优点（见表1）。因为它避免了浮栅技术的潜在的降解效
2020-05-07
查看详情 >
铁电存储器FRAM的结构及特长
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关
2020-05-06
查看详情 >
STM32单片机扩展外部SRAM
IS62WV51216使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）
2020-04-30
查看详情 >
存储单元分类
静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中
2020-04-29
查看详情 >
SRAM存储单元读操作分析
一个典型的SRAM基本结构中，每个存储单元都通过字线和位线与它所在的行和列中的其它存储单元有电学连接关系。水平方向的连线把所有的存储单
2020-04-28
查看详情 >
930条
上一页
1
..
101
102
103
104
105
106
107
108
109
..
155
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
