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Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF
串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。
2020-04-26
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新型存储器与传统存储器介质特性对比
在非易失性MRAM存储器方面，Everspin MRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1Gb STT-MRAM产品。
2020-04-23
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灵动微MCU MM32F103VCT6可替换意法半导体MCU
上海灵动微电子是国内本土MCU厂商，针对通用高性能市场的MM32F系列产品。MM32F103系列是市场上常用的一款，此款MM32F103VCT6型号产品可用于替换意法半导体MCU的STM32F103VCT6
2020-04-21
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研究人员开发一种新的MRAM单元结构
东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构，该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻（USMR）。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。
2020-04-17
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嵌入式MCU ARM Cortex-M3工作模式与异常
当处理器处在线程状态下时，既可以使用特权级，也可以使用用户级；另一方面， handler模式总是特权级的。在复位后，处理器进入线程模式＋特权级。
2020-04-15
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每秒54Mb速度传输数据的富士通FRAM
富士通FRAM MB85RQ4ML是采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为524,28个8字X 8位。
2020-04-13
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