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非易失性MRAM磁性隧道结技术
MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性状态作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态
2020-03-05
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ST-MRAM磁隧道结写入方式
自旋转移矩依靠电流实现磁化翻转，写入电流密度大概在106~107A cm2之间，而且写入电流的大小可随工艺尺寸的缩小而减小，克服了传统磁场写入方式的缺点，因而被广泛认为是实现磁隧道结的纯
2020-03-03
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基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计
基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为1 05V时,和传统6T单元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同时,在单元读写操作时,错误率较低。
2020-02-28
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新型非易失性MRAM优势
MRAM（磁性存储器）是一种非易失性存储器。MRAM技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非易失性，容量密度及使用寿命不输
2020-02-26
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SPI FLASH读写介绍
对flash芯片的操作，一般包括对flash芯片的擦除，编程和读取，各大厂商的SPI flash芯片都大同小异，操作命令基本是没什么变化的，当我们拿到一款芯片，要特别注意芯片的容量，操作分区等。
2020-02-24
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如何对外扩SRAM进行读写
如何对SRAM进行读写使用指针的方法进行读写不需要写读写函数，可以直接使用指针的方式对STM32的内存地址进行访问。（1）首先要定义SRAM的基
2020-02-20
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