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2019年Nand存储器市场跌幅最大
存储器市场在2019年占半导体销售额的26 7％，收入同比下降了31 5％。 在内存领域的DRAM收入下降了37 5％，这是由于从2018年底开始一直持续
2020-03-11
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疫情下DDR3芯片现货市场行情
春节前的存储价格一路高涨，各大存储厂的库存压力逐渐缩小，而市场上的现货库存有限导致了许多终端提前备货。在2月开工的存储产业的需求也
2020-03-09
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非易失性MRAM磁性隧道结技术
MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性状态作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态
2020-03-05
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ST-MRAM磁隧道结写入方式
自旋转移矩依靠电流实现磁化翻转，写入电流密度大概在106~107A cm2之间，而且写入电流的大小可随工艺尺寸的缩小而减小，克服了传统磁场写入方式的缺点，因而被广泛认为是实现磁隧道结的纯
2020-03-03
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基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计
基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为1 05V时,和传统6T单元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同时,在单元读写操作时,错误率较低。
2020-02-28
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新型非易失性MRAM优势
MRAM（磁性存储器）是一种非易失性存储器。MRAM技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非易失性，容量密度及使用寿命不输
2020-02-26
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