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ISSI IS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL BL和IS65WV20488EALL BLL是高速16M位静态RAM，组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度
2020-05-29
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低功耗SRAM主要三部分功耗来源
随着SOC 技术的迅猛发展，由电池供电的便携式电子产品得到了广泛应用，如智能手机、运动手环、ipad、部分汽车电子等。近年来半导体工艺已
2020-05-27
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ISSI具有纠错功能的Async SRAM
近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费，工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量，以帮助处
2020-05-26
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SRAM市场与技术
静态随机存取存储器SRAM由于是利用触发器电路作为存储单元，只要不切断其供电电源，它就能永远保存所寄存的数据信息。因此 SRAM与通常的
2020-05-22
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MRAM缓存可行性比SRAM更高
随着制程迈向5nm甚至3nm，半导体工艺复杂性剧增导致高密度SRAM在先进技术节点处的缩小变得更为有限。为减少面积和能耗，STT-MRAM存储器已成
2020-05-20
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采用分级字线结构可提高SRAM读写速度及降低电路动态功耗
采用分级字线结构的存储器将整个存储阵列划分为若干个相同的子阵列。与非分级字线结构相比，它需要采用多级的字线译码才能完成对存储单元的
2020-05-18
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