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MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPI MRAM
1Mb串行MRAM具有四个串行I O路径，旨在提高读 写速度并减少时钟周期。EverspinTechnologies的具有QuadSPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时
2020-08-05
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什么是STT-MRAM？
随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过
2020-08-03
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Everspin MRAM通过合作伙伴关系不断发展其生态系统
Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权
2020-07-30
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DDR存储器系统是消费电子的核心
在当今的消费电子市场中，设计师面对6个月的设计窗口以在12个月的时间内实现生产并不少见。这些消费者细分市场中的设计师面临的问题之一是
2020-07-28
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DDR5 SDRAM规格发布：大容量满足极速
半导体工程组织JEDEC为动态随机存取存储器（DRAM）设定了标准，该组织上周发布了最终的JESD79-5DDR5规范。新型存储器是其每引脚数据传输速
2020-07-24
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FRAM的未来是更高的密度
最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。去年对新兴内
2020-07-23
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