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非易失性FRAM中的预充电操作
FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。
2020-08-17
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工业和消费者HMI系统中的扩展内存
传统上，HMI由MCU，MPU或FPGA控制，并使用SDRAM或PSRAM用于代码执行和图形缓冲。但是，这种方法极大地损害了HMI系统的设计简便性，功耗和占地面积。
2020-08-13
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将FRAM存储器芯片集成到汽车EDR设计中
本篇文章宇芯电子主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况，以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。EDR要求：高速
2020-08-11
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SRAM是什么存储器
静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的静态数据，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可
2020-08-07
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MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPI MRAM
1Mb串行MRAM具有四个串行I O路径，旨在提高读 写速度并减少时钟周期。EverspinTechnologies的具有QuadSPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时
2020-08-05
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什么是STT-MRAM？
随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过
2020-08-03
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