产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
基于灵动微电子MM32F0133C6P微控制器的OBD诊断仪系统参考方案
已经在MCU领域探索10年的灵动微电子在产品磨合上已经积累了相当的经验和教训，现正迎来智能家电和汽车电子市场快速增长的发展机遇。灵动微
2022-01-24
查看详情 >
STT-MRAM写入速度比读取速度慢10倍
MRAM是当今进入商业生产的众多非易失性存储器技术之一。早期版本，称为切换 MRAM，已经存在了一段时间，最新的商用选项是自旋转移扭矩，或
2022-01-20
查看详情 >
SOT-MRAM与闪存和NAND的对比
在新的非易失性存储器(NVM)技术时代，另一种变体即将加入竞争——称为自旋轨道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系统(SoC)
2022-01-19
查看详情 >
内存Flash简介
内存Flash是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在PC系统中，则主要用在固态硬盘以及主板BIOS中。绝大
2022-01-18
查看详情 >
EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗异步SRAM
ISSI型号IS61WV25616EDBLL-10TLI是一种高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存储器，位宽256*12，采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工
2022-01-17
查看详情 >
MRAM能否使欧盟回到存储器竞争的队伍？
存储器在电子系统中无处不在，而且用途广泛：从存储数据到缓存、缓冲，以及最近开发出的（存内）计算。存储器的种类非常多：从发热的快速易
2022-01-12
查看详情 >
930条
上一页
1
..
36
37
38
39
40
41
42
43
44
..
155
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
