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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗异步SRAM
ISSI型号IS61WV25616EDBLL-10TLI是一种高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存储器，位宽256*12，采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工
2022-01-17
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MRAM能否使欧盟回到存储器竞争的队伍？
存储器在电子系统中无处不在，而且用途广泛：从存储数据到缓存、缓冲，以及最近开发出的（存内）计算。存储器的种类非常多：从发热的快速易
2022-01-12
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Everspin代理256k非易失性MRAM-MR256A08BCYS35
Everspin型号MR256A08BCYS35是一个位宽32Kx8的MRAM存储芯片。提供SRAM兼容的35ns读 写时序，具有无限的耐用性。数据在超过20年的时间里始终
2022-01-11
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DDR5内存缺货涨价的原因
DDR5即将普及，却面临与芯片短缺同样的局面：缺货、涨价，不过与芯片短缺的原因不同，英特尔表示这是新技术升级的原因。11月底Intel发布了1
2022-01-10
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外扩SRAM芯片IS62WV51216ALL
ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM，位宽为512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术
2022-01-06
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Everspin代理双电源128Kx8非易失性MRAM-MR0D08BMA45
MR0D08BMA45是一种双电源MRAM存储器设备，容量为1Mbit。它支持从+1 65到+3 6伏的I O电压。提供具有无限耐用性的SRAM兼容45ns读 写时序。超
2022-01-05
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