产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱:
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
调涨Nand Flash价格或将拉动闪存市价上涨
由于西部数据与铠侠日本合资工厂受原料污染冲击产能,影响2022年Q1及Q2两季3 7%及全年1 7%产能。扣除损失部分,西部数据与铠侠产出成长率将
2022-02-18
查看详情 >
国产SRAM芯片厂家EMI伟凌创芯
EMI伟凌创芯生产的SRAM芯片采用先进的全CMOS工艺技术制造,位宽为8 16位异步低功耗SRAM芯片,工作电压范围2 3V〜5 5V,支持商业温度-40~85
2022-02-16
查看详情 >
富士通三种8Mbit FRAM产品能满足客户需求
富士通半导体存储器解决方案为客户提供以铁电随机存取存储器(FRAM)为中心的存储器产品和各种解决方案,这是一种高质量和高可靠性的非易失性
2022-02-15
查看详情 >
伟凌创芯8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I
我司介绍一款国产SRAM芯片,EMI伟凌创芯8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽512K*16,电源电压
2022-02-14
查看详情 >
国产存储外部SRAM芯片EMI7064
外部SRAM作为执行存储器为无缓存的CPU工作时表现相对良好。当CPU没有缓存来缓冲其它种类存储器的高反应时间时,外部SRAM的低反映时间特性有
2022-02-11
查看详情 >
SRAM和DRAM的折衷
DRAM芯片不便宜,但更贵的是与DRAM芯片的连接。芯片设计公司往往注重裸片尺寸,但芯片封装尺寸也是决定成本的一个重要因素,有时可能比裸片
2022-02-10
查看详情 >
926条
上一页
1
..
34
35
36
37
38
39
40
41
42
..
155
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009