产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱:
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
STT-MRAM以优良的性能成为热门的候选器件
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本
2021-12-08
查看详情 >
FRAM铁电存储器比ADAS的传统EEPROM拥有更多优势
过去几年,人们对自动驾驶汽车产生了极大的热情。这的确在情理之中。自动驾驶汽车有望带来影响深远的好处:提高燃油效率、缩短行车时间、提
2021-12-07
查看详情 >
MCU市场应用和竞争
现今的MCU已经演变成为完整的系统级芯片(SoC),微处理器内核的主频从4M到200MHz不等;片上模拟模块包括ADC、运放和DAC等;内置的存储器包括Fl
2021-12-06
查看详情 >
ISSI代理带SQI接口串行SRAM芯片IS62WVS5128FBLL-20NLI
ISSI型号IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串行SRAM,ISSI采用低功耗CMOS技术,位宽8*512K字节。它是两个2Mb串行SRAM的双芯片堆栈。串行SRAM旨在
2021-12-03
查看详情 >
新一代MRAM放眼更广泛应用
在MRAM这类内存写入时,组件的穿隧氧化层会承受的庞大电压,使得数据的保存、写入耐久性,以及写入速度三者往往不可兼得,必须有所权衡。这
2021-12-02
查看详情 >
灵动微电子提供MM32F3270微控制器助力“中移OneOS代码贡献赛”
在中移OneOS代码贡献赛中,灵动微电子将提供MM32F3270微控制器助力此次竞赛。灵动微电子成立于2011年,是中国本土领先的通用32位MCU产品及
2021-12-01
查看详情 >
921条
上一页
1
..
39
40
41
42
43
44
45
46
47
..
154
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009