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STT-MRAM以优良的性能成为热门的候选器件
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本
2021-12-08
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MCU市场应用和竞争
现今的MCU已经演变成为完整的系统级芯片(SoC)，微处理器内核的主频从4M到200MHz不等;片上模拟模块包括ADC、运放和DAC等;内置的存储器包括Fl
2021-12-06
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新一代MRAM放眼更广泛应用
在MRAM这类内存写入时，组件的穿隧氧化层会承受的庞大电压，使得数据的保存、写入耐久性，以及写入速度三者往往不可兼得，必须有所权衡。这
2021-12-02
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实现高速运行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点，具有快速写入速度、低
2021-11-26
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使用非易失性FRAM存储器替换SRAM时的问题和解决方案
FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，富士通新推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8MbitFRAM存储
2021-11-23
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芯片短缺影响DDR5产能
2022年将开始普及DDR5，其取代DDR步伐越来越快，由于芯片的短缺，导致DDR5交期再次延长到35周。就目前而言，在选购方面两者的选择非常明显
2021-11-19
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