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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗异步SRAM
ISSI型号IS61WV25616EDBLL-10TLI是一种高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存储器，位宽256*12，采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工
2022-01-17
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Everspin代理256k非易失性MRAM-MR256A08BCYS35
Everspin型号MR256A08BCYS35是一个位宽32Kx8的MRAM存储芯片。提供SRAM兼容的35ns读 写时序，具有无限的耐用性。数据在超过20年的时间里始终
2022-01-11
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外扩SRAM芯片IS62WV51216ALL
ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM，位宽为512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术
2022-01-06
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三星西安半导体厂因疫情影响缩减产能
三星电子新闻中心发布公告称，受新冠疫情持续等影响，正在对西安半导体工厂生产线进行灵活调整。基于以员工安全和健康为重的经营方针做出上
2021-12-30
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以灵动微电子MM32SPIN360C为主控的电动工具控制方案
电动工具是一种由电动机或电磁铁为动力，通过传动机构驱动工作头进行作业的手持式或可移式的机械化工具。电动工具特点是结构轻巧，体积小、
2021-12-28
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DRAM现在发展成什么样了？
对存储器而言，追求的始终是更快的速度、更低的功耗和更高的存储密度。在器件尺寸scaling down的大前提下，存储容量不能变小，发展过程中
2021-12-24
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