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选择MRAM最佳测试算法
嵌入式内存测试和修复的挑战是众所周知的，包括最大程度地扩大故障覆盖范围以防止测试失败以及使用备用元件来最大程度地提高制造良率。随着
2020-10-10
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通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工业，军事和太空应用，这些对于MRAM存储器开发人员来说是重要的部分。
2020-10-09
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FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1 3，而FRAM的待机 睡眠电流规格与EEPROM的待机 睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨
2020-09-30
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新兴记忆存储MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低电压电平下引入误码率，从而在保持精度的同时进一步降低了功耗要求。关键在于确定最低电压和最短时间的最佳精度。这转化为最高的能源效率。
2020-09-29
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Everspin MRAM替换FRAM
可靠性考虑比较FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM
2020-09-28
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实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;
2020-09-27
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