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铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心
2020-10-28
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如何解决MRAM寿命问题
在高密度MRAM模块中会遇到磁介质的不规则漩涡，这种漩涡引起了磁极的老化，甚至导致读写错误。这也就是说，MRAM的寿命和稳定性会随着MRAM容量的增加而面临严峻的考验。
2020-10-27
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断电也能保存MRAM技术精髓
内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少，但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的，一旦没有持续的
2020-10-26
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非易失性NV-SRAM的应用
NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场
2020-10-23
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几种非易失性存储器的比较
SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源（如电池）供电时，他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的
2020-10-21
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PSRAM是异步SRAM的理想替代品
PSRAM与传统的六晶体管(6T)SRAM单元性能相当,但却有着标准异步SRAM无法比拟的绝对成本优势。此外,PSRAM还可提供极高的存储密度,如32Mbit和64Mbit，可满足手机厂商手机扩展功能的需要。
2020-10-20
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