STT-MRAM写入速度比读取速度慢10倍

MRAM是当今进入商业生产的众多非易失性存储器技术之一。早期版本，称为切换 MRAM，已经存在了一段时间，最新的商用选项是自旋转移扭矩，或STT-MRAM。
 
现代MRAM器件采用所谓的磁隧道结 (MTJ)。它可以简化为具有三层——固定或“钉扎”磁性层、隧道电介质和自由磁性层。
 
在对设备进行编程时，将自由层的磁场设置为与固定层的磁场平行或反平行。这个想法是，固定层有效地过滤了通过它的电流的自旋方向。当该电流撞击另一个磁性层时，如果它的方向相同，则可以通过更多电流。如果方向相反，则通过的电流更少
     
在 STT-MRAM MTJ 中通过运行大电流通过 MTJ 对单元进行编程。方向决定了自由层的编程方式。更新的程序“更难”，从而实现更快的访问时间。但它也会对细胞造成损害，从而导致磨损。如果需要更高的耐用性，则写入电流必须更低，从而减慢该过程。
 
目前的缺点是它的写入速度比读取速度慢 10 倍。因为性能慢，要替换 SRAM 会很困难。
   
图 2：使用大于流经 MTJ 的读取电流的写入电流对 STT-MRAM 单元进行编程，这会对单元造成长期损坏。


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