内存Flash简介

内存Flash是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在PC系统中，则主要用在固态硬盘以及主板BIOS中。绝大部分的U盘、SD Card等移动存储设备也都是使用内存Flash作为存储介质。
 
内存Flash的主要特性
 
与传统的硬盘存储器相比，内存Flash具有质量轻、能耗低、体积小、抗震能力强等的优点，但也有不少局限性，主要如下：
 
需要先擦除再写入
内存Flash写入数据时有一定的限制。它只能将当前为1的比特改写为0，而无法将已经为0的比特改写为1，只有在擦除的操作中，才能把整块的比特改写为1。
 
块擦除次数有限
内存Flash的每个数据块都有擦除次数的限制（十万到百万次不等），擦写超过一定次数后，该数据块将无法可靠存储数据，成为坏块。
 
为了最大化的延长内存Flash的寿命，在软件上需要做擦写均衡（WearLeveling），通过分散写入、动态映射等手段均衡使用各个数据块。同时，软件还需要进行坏块管理（Bad Block Management，BBM），标识坏块，不让坏块参与数据存储。（注：除了擦写导致的坏块外，内存Flash在生产过程也会产生坏块，即固有坏块。）
 
读写干扰
由于硬件实现上的物理特性，内存Flash在进行读写操作时，有可能会导致邻近的其他比特发生位翻转，导致数据异常。这种异常可以通过重新擦除来恢复。内存Flash应用中通常会使用ECC等算法进行错误检测和数据修正。
 
电荷泄漏
存储在内存Flash存储单元的电荷，如果长期没有使用，会发生电荷泄漏，导致数据错误。不过这个时间比较长，一般十年左右。此种异常是非永久性的，重新擦除可以恢复。

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