Everspin代理双电源128Kx8非易失性MRAM-MR0D08BMA45

MR0D08BMA45是一种双电源MRAM存储器设备，容量为1Mbit。它支持从+1.65到+3.6伏的I/O电压。MRAM提供具有无限耐用性的SRAM兼容45ns读/写时序。超过20年的数据始终是非易失性的。低电压抑制电路在断电时自动保护数据，以防止电压超出规范的写入。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用程序，是理想的存储器解决方案。
 
MR0D08BMA45采用小尺寸8mmx8mm、48引脚球栅阵列(BGA)封装。在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品MRAM提供商业温度（0至+70℃）。everspin代理宇芯电子提供样品测试及产品应用方案等服务。
 
MR0D08BMA45特征
•+3.3伏电源
•I/O电压范围支持广泛的+1.65至+3.6V接口
•快速45ns读/写周期
•SRAM兼容时序
•无限读写耐久性
•数据在温度下始终保持非易失性>20年
•符合RoHS的小尺寸BGA封装
 
MR0D08BMA45的优点：一个存储器取代系统中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，实现更简单、更高效的设计；通过更换电池供电的SRAM提高可靠性。

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