FRAM铁电存储器比ADAS的传统EEPROM拥有更多优势

过去几年，人们对自动驾驶汽车产生了极大的热情。这的确在情理之中。自动驾驶汽车有望带来影响深远的好处：提高燃油效率、缩短行车时间、提高乘客体验和工作效率，让可能无法开车的老人和残疾人自由驾驶，以及最重要的提高道路安全。
 
由于现在很多汽车都支持线控技术，因此将这一功能从简单地提醒驾驶员超速的系统扩展到防止驾驶员超速的系统可能相对简单，并且可以大大提高道路安全性。
 
行车记录仪是用于记录事故发生前各个重要子系统数据的系统。可以安装在ADAS主控单元，或者安装在另一个接收重要传感器数据并与ADAS MCU进行通信的MCU中。
 
行车记录仪通过测量汽车前部压力传感器的撞击力、车速、发动机转速、转向输入、油门位置、制动状态、安全带状态(检测乘客)、轮胎气压、警告信号以及安全气囊打开状态，从而判断碰撞严重程度。并且在汽车碰撞前和碰撞期间记录以上数据。显然，微控制器不能等到事故发生才开始记录数据。因此，微控制器需要连续存储数据。所以，EDR需要一个具有几乎无限写次数的非易失性存储器。
 
FRAM存储器比ADAS的传统EEPROM拥有更多优势。无需写等待时，几乎可以实时存储重要数据(实际10us存储时间)，这一点对ADAS来说至关重要。EEPROM通常需要超过10毫秒的写等待时间，因此不适用于高安全性应用。FRAM同时具备无写延迟和高速时钟速度，非常适合需要快速写入大量数据的应用。使用SPI时，设计师可以自由决定FRAM的写入字节数。把一个或两个字节写入FRAM的随机位置时，写入周期约为1微秒。反观EEPROM或闪存，则需要5-10毫秒的写入周期。
 
与EEPROM或闪存不一样的是，FRAM无需页面缓冲区。在接收每个字节的第8位之后，FRAM立即写入每个数据字节。这意味着，系统存储器密度增长时，工程师不必担心页面缓冲区大小的变化。
 
就写入耐久性而言，FRAM可以支持100亿次写操作，远远超过EEPROM的100万次以及闪存的10万次。因此FRAM可以用作追踪数据记录器，可以不断写入数据。此外FRAM的写入和读取的消耗功率非常低(例如1Mhz时为300微安)，因此非常适用于事故引起断电时需要使用低功率备用电源或通过电容写入数据的ADAS。与其他非易失性存储器相比，FRAM的待机电流也低得多(通常为100微安)。

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