ISSI授权代理512Kbit静态SRAM芯片IS61WV3216DBLL-10TLI-TR

ISSI公司是为汽车、通信、数字消费以及工业和医疗等主要市场设计和开发高性能集成电路的技术，主要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。以具有成本效益的高质量半导体产品瞄准高增长市场。是内存产品的长期供应商，包括低密度和小批量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。代理商宇芯电子支持提供产品相关技术支持。
 
ISSI产品型号IS61WV3216DBLL-10TLI-TR采用ISSI的高性能CMOS技术制造，是一款容量为512Kbit的高速静态SRAM存储芯片，位宽32Kx16。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，产生了高性能和低功耗的器件。
 
当CE为高电平（取消选择）时，器件进入待机模式，在该模式下，功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE，可以轻松扩展内存。有效的低写入使能(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。IS61WV3216DBLL-10TLI-TR采用JEDEC标准44-pinTSOP TypeII封装
 
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR特征
高速：IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
•高速访问时间：8、10、12、20ns
•低有功功率：135mW（典型值）
•低待机功耗：12µW（典型值）
CMOS待机
低功耗：IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
•高速访问时间：25、35ns
•低有功功率：55mW（典型值）
•低待机功耗：12µW（典型值）
CMOS待机
•单电源
—Vdd2.4V至3.6V
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•高字节和低字节的数据控制
•工业和汽车温度支持
•无铅可用

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