ISSI代理32Mb高速异步SRAM芯片IS64WV204816BLL

ISSI IS64WV204816BLL是一款高速32M位静态SRAM，按16位组织为2048K字。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的设备。采用JEDEC标准48引脚TSOP（I型）和48引脚迷你BGA（6mmx8mm）封装。代理商宇芯电子支持提供产品应用解决方案.
 
IS64WV204816BLL特征
•高速存取时间：10ns、12ns
•高性能、低功耗的CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚，以提高抗噪性
•使用CS#和OE#轻松扩展内存
•TTL兼容输入和输出
•单电源
–2.4V-3.6VVDD
•引脚：
-48球迷你BGA(6mmx8mm)
-48针TSOP(TypeI)
•工业和汽车温度支持
•无铅可用
•高字节和低字节的数据控制
 
功能说明
SRAM是一种随机存取存储器。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM支持三种不同的模式。下面用真值表描述每个函数。
 
待机模式
取消选择（CS#高电平）时，设备进入待机模式。输入和输出引脚(I/O0-15)处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大限度地节省功耗。
 
写模式
芯片选择(CS#)和写使能(WE#)输入低电平的写操作问题。输入和输出引脚（I/O0-15）处于数据输入模式。即使OE#为低电平，在此期间输出缓冲器也会关闭。UB#和LB#启用字节写入功能。通过使能LB#低电平，来自I/O引脚（I/O0到I/O7）的数据被写入地址引脚上指定的位置。当UB#为低电平时，来自I/O引脚（I/O8到I/O15）的数据被写入该位置。
 
阅读模式
芯片选择（CS#低）和写使能（WE#）输入高时的读操作问题。当OE#为低电平时，输出缓冲器开启以进行数据输出。在READ模式期间不允许对I/O引脚进行任何输入。UB#和LB#启用字节读取功能。通过启用LB#LOW，来自内存的数据出现在I/O0-7上。当UB#为低电平时，来自内存的数据出现在I/O8-15上。
 

关键词： SRAM  IS64WV204816BLL

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