CYPRESS代理64Kbit串行(SPI)FRAM芯片FM25CL64B

功能概述
FM25CL64B是一款采用先进铁电工艺的64Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，执行类似于RAM的读取和写入。它提供151年的可靠数据保留，同时消除由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
 
与串行闪存和EEPROM不同，FM25CL64B以总线速度执行写操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储器阵列。无需数据轮询即可开始下一个总线周期。与其他非易失性存储器相比，该产品提供了可观的写入耐久性。FM25CL64B能够支持10¹⁴个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。
 
这些功能使FM25CL64B成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。示例范围从数据收集（其中写入周期数可能至关重要）到要求苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。
 
FM25CL64B为串行EEPROM或闪存作为硬件替代品的用户提供了巨大的好处。FM25CL64B采用高速SPI总线，增强了FRAM技术的高速写入能力。器件规格在–40℃至+85℃的工业温度范围内得到保证。cypress代理宇芯电子提供产品相关技术支持。
 
◆64-Kbit铁电随机存取存储器(FRAM)逻辑上组织为8K×8
•高续航100万亿（10¹⁴）读/写
•151年数据保留
•NoDelay™写入
•先进的高可靠性铁电工艺
◆极快的串行外设接口(SPI)
•高达20MHz的频率
•串行闪存和EEPROM的直接硬件更换
•支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
◆复杂的写保护方案
•使用写保护(WP)引脚的硬件保护
•使用写禁用指令的软件保护
•1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
◆低功耗
•1MHz时为200μA有源电流
•3μA（典型值）待机电流
•低电压操作：VDD=2.7V至3.65V
•工业温度：–40℃至+85℃
◆封装
•8引脚小外形集成电路(SOIC)封装
•8引脚薄型双扁平无引脚(TDFN)封装
•符合有害物质限制(RoHS)

关键词：串行FRAM  FM25V02A-DG

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