具有纠错码(ECC)的8Mb高速低功耗异步SRAM
来源:宇芯有限公司 日期:2021-07-13 11:50:13
ISSI基于纠错的8Mb高速低功耗异步SRAM这种创新设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的
SRAM的长期承诺。该行业首款基于纠错码(ECC)的异步SRAM满足汽车、工业、军事航空航天和其他应用的高质量要求。
ISSI代理商宇芯电子可提供样品测试及技术支持。
错误检测和错误纠正
•每个字节具有汉明码的独立ECC
•检测并纠正每个字节的一位错误
•比只能检测错误但不能纠正错误的奇偶校验码方案具有更好的可靠性
•向后兼容:替代当前行业标准设备(无ECC)
应用
•汽车
•军用航天/医疗
•工业的
•电信/网络
额外的ECC
异步SRAM
•2Mb、4Mb、1Mb
主要特征
|
IS64WV51216EDBLL (A1) |
IS64WV51216EDBLL (A3) |
注释 |
温度支持 |
工业(-40°C 至 +85°C) |
汽车(-40°C 至 +125°C) |
联系ISSI代理商了解军用温度 |
技术 |
65nm |
65nm |
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待机电流 |
15mA |
35mA |
典型值 2mA |
工作电流 |
50mA |
65mA |
典型值 15 mA |
数据保留电流 |
15mA |
35mA |
典型值 2mA |
包装 |
TSOP-II(44 针) BGA(48 针) |
TSOP-II(44 针) BGA(48 针) |
引脚与行业标准 8Mb 异步兼容。 |
关键词:串行FRAM
上一篇文章:富士通4Mbit串行FRAM对EEPROM的兼容性更高
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