富士通推出8Mbit FRAM MB85R8M2T——FRAM系列中最大的内存密度

富士通半导体型号MB85R8M2T，是一款8Mbit FRAM，在富士通FRAM非易失性存储器系列中具有最大的密度。
 
MB85R8M2T具有从1.8V到3.6V的宽电源电压范围和一个与SRAM兼容的并行接口。MB85R8M2T是最适合正在开发工业机械并希望使用比当前4Mbit FRAM密度更大的产品的客户的需求的最合适的内存，或者消除对SRAM的需要，该SRAM的使用属于备份断电时的数据。
 
通过在各种工业应用中使用这种新的FRAM产品替换SRAM设备，例如在设施和机器人的控制单元中，它可以消除对备用电池的需求，并且可以节省大约90%的内存部件安装面积。它有助于降低与电池相关的成本。
 
富士通半导体了FRAM非易失性存储器产品，这些产品具有高读写耐久性、高速写入操作和低功耗。尤其是他们的FRAM产品保证读/写周期为10万亿周期，是竞争对手非易失性存储器EEPROM的1000万倍。因此富士通FRAM产品已被用于需要频繁重写数据的工业应用，例如实时数据记录和3D定位数据记录。
 
富士通半导体8Mbit FRAM产品MB85R8M2T，通过与SRAM兼容的并行接口在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。
 
FRAM产品采用48引脚FBGA封装，尺寸非常小，仅为8.00x6.00毫米，是根据客户要求开发的。如果客户在其应用中使用44引脚TSOP封装中的SRAM和数据备份电池，通过将其替换为FRAM，由于无需电池，可以节省大约90%的安装表面积。（图1）

   
用FRAM替换SRAM可有效降低与电池相关的总成本。取消数据备份电池不仅降低了组件成本，还消除了与更换电池、电池库存和其他维护相关的定期成本，从而降低了开发和运营方面的总成本。因此这种无电池解决方案可以大大有助于降低上述总成本。(图2)

  富士通半导体继续为我客户提供内存产品和解决方案，有助于提高客户终端产品的性能并降低总成本。代理商宇芯电子支持提供样品测试及产品应用解决发方案。

关键词：铁电存储器  

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