富士通代理64Kbit非易失性铁电存储器MB85RS64VPNF-G-JNERE1

FRAM只是一种像RAM一样运行的高速非易失性存储器。这允许程序员根据需要灵活地分配ROM和RAM存储器映射。它为最终用户创造了在底层对FRAM进行编程以根据他们的个人喜好进行定制的机会。独立的FRAM允许设计人员发挥创造力，在广泛的设计中探索和使用FRAM。本篇文章介绍富士通代理64Kbit非易失性铁电存储器MB85RS64VPNF-G-JNERE1。
 
■描述
MB85RS64VPNF-G-JNERE1是一款8192字×8位配置的FRAM（铁电存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS64VPNF-G-JNERE1采用串行外设接口（SPI）。MB85RS64VPNF-G-JNERE1能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。
 
MB85RS64VPNF-G-JNERE1采用的存储单元可进行10¹²次读写操作，相比Flash存储器和E²PROM支持的读写操作次数有显着提升。MB85RS64VPNF-G-JNERE1不需要像Flash存储器或E²PROM那样长时间写入数据，并且MB85RS64VPNF-G-JNERE1不需要等待时间。
 
■特点
•位配置：8,192字×8位
•SPI对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率：20MHz（最大）
•高耐久性：10¹²次/字节
•数据保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃)
•工作电源电压：3.0V至5.5V
•低功耗：工作电源电流1.5mA(Typ@20MHz)待机电流10μA(Typ)
•工作环境温度范围：−40℃至+85℃
•封装：8针塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
富士通FRAM是新一代非易失性存储器，其性能优于E²PROM和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。
 
FRAM不需要电池来备份其数据，从而在整个系统中节省了大量成本和电路板空间。它可以用于存储设备的设置、配置、状态，并且数据可以在以后使用。这些存储的数据可用于重置设备、分析上次状态和激活恢复操作。逐字节随机访问使内存管理更有效。
 
 
关键词：铁电存储器  

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