FRAM在写入速度和耐用性远优于EEPROM

铁电随机存取存储器(FRAM)是真正的非易失性RAM，结合了RAM和非易失性存储器的优点。FRAM在写入速度、耐用性和能效方面远优于闪存/EEPROM。
 
源自浮栅技术的传统非易失性存储器使用电荷泵来开发片上高压（10V或更高）以迫使载流子通过栅极氧化物。因此写入延迟长，写入功率高，写入操作对存储单元具有破坏性。浮栅器件不能支持超过10⁶次访问的写入。从这个角度来看，使用EEPROM以1个样本/秒记录数据的数据记录器将在不到12天的时间内磨损。相比之下的FRAM产品提供几乎无限的耐用性（10¹⁴次访问）。
 
FRAM在写入速度和功率方面都远远优于浮栅器件。对于时钟频率为20MHz的典型串行EEPROM，写入256位（32字节页面缓冲区）需要5毫秒，写入整个64Kb需要1283.6毫秒。对于等效的FRAM，256位仅需14µs，写入整个64Kb仅需3.25ms。将64Kb写入EEPROM需要3900µJ，而将64Kb写入FRAM需要17µJ，相差超过229个数量级。
 
赛普拉斯半导体提供全面的串行和并行FRAM（铁电RAM）非易失性存储器产品组合，可在断电时立即捕获和保存关键数据。在关键任务数据记录应用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)，或以低功耗设计的植入人体生命的患者监护设备，小尺寸内存，Cypress FRAM提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。FRAM的快速写入速度和低能耗使其成为低功耗应用的理想选择，例如电表、可穿戴电子产品和电池供电系统。更多赛普拉斯产品资料可咨询宇芯电子。