Everspin一级代理串行MRAM芯片MR25H256CDC

Everspin是专业研发非易发性存储芯片MRAM的半导体公司，世界领先的分立和嵌入式MRAM开发商和制造商，Everspin产品线主要包括串口MRAM，并口MRAM，DDR3/4 STT-MRAM等产品，广泛应用于数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输领域。
 
Everspin一款串口MRAM存储芯片MR25H256CDC，这款串行SPI MRAM允许对存储器进行随机读写操作，而且没有写入延迟。这款MR25H256CDC非常适合于必须通过一小部分I/O引脚快速存储数据和程序的应用。
 
MR25H256CDC这款器件，不仅在读写耐久性方面表现出色，而且还与拥有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，并且没有写入延迟。典型的应用包括计算机存储系统及服务器、工业自动化和机器人、电能管理、交通系统。
 
MR25H256CDC特征
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40兆赫兹
•2.7~3.6V电源范围
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN兼容封装。
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和AEC-Q1001级和3级选项
•湿度敏感度MSL-3
 
Everspin型号MR25H256CDC是一种串行MRAM，其存储器阵列逻辑组织为32Kx8，使用串行外围接口的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口(SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及更可靠的数据保留。

关键词：MR25H256CDC  串行MRAM

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