富士通4Mbit FRAM强势赋能工业及汽车应用

铁电随机存取内存FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。
 
富士通电子元器件型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量达到FRAM产品最高水平，运作温度最高可达125℃。这款全新FRAM是非易失性内存产品，在125℃温环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。富士通FRAM代理宇芯电子支持产品相关技术支持。

   
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。
 
自去年发布以来，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍，达到4Mbit，满足更高容量的需求，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低，即使在125℃高温下，最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz），最大掉电模式电流为30µA，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。
 
这款全新FRAM在-40℃至+125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如每0.03毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达10年之久。
 
这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。

   
关键规格
 
·组件型号：MB85RS4MT
·容量（组态）：4Mbit（512Kx8位）
·接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
·运作频率：最高50MHz
·运作电压：1.8V-3.6V
·运作温度范围：-40℃-+125℃
·读/写耐久性：10兆次（10¹³次）
·封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP


关键词：FRAM  MB85RS4MT

宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。