关于存储芯片坏块的存在

关于手机内存标称容量和实际容量不一致的话题再次引起了广泛关注。那么这些数码产品的标称存储容量和实际存储容量为何会有差别呢?下面存储芯片供应商宇芯电子简单叙述一下关于存储芯片坏块的存在。
 
存储芯片坏块的存在
存储芯片的种类五花八门，存储芯片分为易失性存储芯片（RAM）和非易失性存储芯片（NVM）。
 
其中，易失性存储芯片又称随机存取记忆体，即它在任何时候都可以读写。不过，当电源关闭后，易失性存储芯片不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中，如硬盘。
 
目前，易失性存储芯片分为动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）。他们之间的不同在于生产工艺的不同。SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，而DRAM保存数据靠电容充电来维持。SRAM读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器，而DRAM读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。
 
与易失性存储芯片相对应的是非易失性存储芯片。这类储存芯片当电流关掉后，所存储的数据不会消失的存储器，我们口中常称的内存就是这类芯片。
 
Nor Flash和Nand Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存芯片，Nand flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，Nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。同时由于Nand Flash 擦除速度远高于Nor Flash，因此Nand Flash在大容量存储领域应用更加广泛，比如U盘、SSD固态硬盘和eMMC存储器里面的主要存储单元等都是应用的Nand Flash。
 
由于生产工艺及结构的原因，NAND Flash不能保证每个存储单元是好的，无法避免的会产生坏块，这些无效块无法确定编程时的状态，就是大家常说的“坏块”。
 
之前某些厂家也有做过消除坏块的努力，但是效果都不理想，坏块是随机产生的，因此厂家并不能完全控制可用存储块的容量。
 
“坏块”会占据一部分NAND Flash的存储空间，这样就会出现128GB的标称存储容量，实际可使用的空间就只有112G的容量可以做文件存储使用。


关键词： DRAM SRAM

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