DRAM供不应求状态延续,主流容量月均价涨近7%

供不应求状态延续，2月specialty DRAM主流容量月均价涨近7%
 
由于目前三大原厂产能吃紧，DRAM市场仍处供不应求情况，整体市况已正式进入上涨周期，原厂看准机会大幅调升specialty DRAM月报价，带动部分颗粒单月价格涨幅逼近双位数；其中以越小容量、越利基的产品涨幅最大。以2月合约价来看，DDR2及DDR3的涨幅仍高；DDR4则受到DDR3的追价而持续上扬，目前在specialty DRAM中仍属最大宗应用的DDR3 4Gb，其颗粒均价单月涨幅约6.8%。
 
长期由台厂主导的DDR3 SDRAM 2Gb严重缺货的情况持续，有价无量已成该产品常态，而追价者成为造成市场高低价价差扩大的主因，本月均价涨幅近9%。DDR4 4Gb受到DDR3 4Gb的上扬所迫，三星（Samsung）本月价格明显拉升，促使低价及均价成长约6%；DDR4 8Gb则随着主流server与PC走势而上，涨幅约4%。必须说明的是，此为因应月合约所做的价格调整，以反应当下市场状况，但若细究部分tier-one客户采取季度合约议价（quarterly lock-in deal）者，其整季价格则不受此月价格影响。
 
三大原厂DDR3产出仍缓步下滑，台厂弹性调配产能求获利最大化
 
在目前specialty DRAM市况火热的情况下，DDR3的获利水平逐渐高过DDR4及逻辑IC产品，也带动供应商的策略开始有所调整。韩厂方面，三星（Samsung）规划将Line 13持续转换至CMOS Image Sensor的长期策略不变，然受到近期价格强劲上涨影响，其稍有缩减原先规划的产能进度。SK海力士（SK Hynix）亦采相同策略，旧厂M10于去年底调降产能后，2021年基本上都维持在相似水位。随着最先进的1Z及1 alpha nm良率有所拉升，美光（Micron）将逐步增加先进制程投片比重，因此部分20nm及更成熟的制程碍于台湾厂区空间有限，未来会慢慢挪往位于美国的Fab 6。三大原厂的DDR3产出仍持续下滑，然下滑速度较原先预期趋缓。
 
台厂方面，南亚科（Nanya Tech）目前已将部分20及30nm的DDR4投片转换回DDR3；华邦（Winbond）近年重心皆在Flash业务，DRAM产能在高雄路竹厂完工前都将受到限制，因此该公司选择重点支持DDR2及DDR3 1/2Gb小容量产品，也因华邦在该领域拥有相对更高的市占率，掌握更多定价优势。力积电（PSMC）先前主要锁定在逻辑IC代工，但随着DDR3代工价显著上扬，将转移部份产能至DRAM。整体而言，未来三大台厂都将依据毛利高低于各产品间弹性调配产能。即便所有供应商加以因应，此波specialty DRAM供不应求的态势至少延续至今年上半年，后续价格涨幅将视各原厂产能调整状况而定。
 
 
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