Everspin MRAM MR3A16ACMA35替换Fujitsu FRAM MB85R8M2T

Everspin是设计制造和商业销售分立磁阻RAM（MRAM）到市场和应用的全球领导者，在这些市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
 
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以与速度更快的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T配合使用，但也使系统设计人员可以利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin 8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引脚BGA封装。everspin代理宇芯电子支持提供产品应用解决方案等支持。
 
MR3A16ACMA35的优点
与富士通FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多好处：
•更快的随机访问操作时间
•高可靠性和数据保留
•无限的读/写耐久性
•无磨损
•有竞争力的定价
•稳定的制造业供应链
•小尺寸BGA封装
 
普通引脚
MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电，并与FRAM兼容。两种产品都使用标准的sram并行地址（A0-16），字节宽的双向数据引脚（DQ0-7）和控制信号（/E，/W，/G）。每个模块都可以由一个公共的定时接口支持，并用作随机存取读/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。

 
   
MRAM提供更快的时序
 
MR3A16ACMA35和MB85R8M2T使用类似于标准SRAM的地址，数据和控制信号。然而，Everspin MR3A16ACMA35允许以35ns的速度进行更快的读写操作。富士通FRAM需要至少150ns的读取周期时间才能进行随机读取访问。MB85R8M2T的内部操作在进行75ns的初始读取访问后需要至少75ns的预充电时间，从而导致150ns的随机访问最小循环时间。无论是器件自定时还是由用户通过将/CE调高来启动，都存在预充电时间。FRAM在周期时间的初始访问部分执行读取操作，然后在预充电时间内将数据恢复到存储单元（写回数据），就像DRAM一样。这称为破坏性读出操作。MRAM可以以这种较慢的FRAM读取顺序进行操作，但是MRAM实际上具有更快的速度，因为它没有破坏性的读取机制。读取和写入周期都会磨损FRAM。
 
MRAM具有无限的读写耐久性。MR3A16ACMA35支持35ns的读取访问和循环时间。MR1A16ACMA35不需要预充电周期，其初始读取访问时间比FRAM快两倍，而随机访问则快四倍。FRAM与读周期一样需要150ns的时间来完成写周期。MRAM将以此时序运行，但实际上其写入周期仅为35ns（比FRAM快4倍）。为了利用MR3A16ACMA35快四倍的随机读写速度，您可能希望修改控制接口。MRAM无需更改即可直接插入大多数SRAM控制器。
 
 
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