NAND Flash和NOR Flash的区别

1.1接口差别
NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
 
NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址，对NAND Flash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND Flash读/写操作采用512或2048字节的页。
 
NOR Flash是并行访问，Nand Flash是串行访问，所以相对来说,前者的速度更快些。
 
1.2容量和成本
NOR Flash的成本相对高﹐容量相对小，常见的有128KB、256KB、1MB、2MB等;优点是读写数据时,不容易出错。所以在应用领域方面,NOR Flash比较适合应用于存储少量的代码。

NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash器件的一半,由于生产过程更为简单﹐也就相应是的数据。。容量比较大,由于价格便宜,更适合存储大量的数据。
 
1.3可靠性和耐用性
采用内存Flash介质时一个需要重点考虑的问越定话性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash定非常合垃的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和环块处理六个方面来比较NOR Flash和NANDFIasnu的太擦写次命(耐用性)在NAND Flash闪行中母不次粘录十万次。数是一百万次，而NOkFlash.t的你国优势,典型的NAND Flash除了具有1o:1的块擦除周期优努·典型)NAND Flash块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND Flash块在给定的时问内的删除次数要少一些。
 
1.4位反转
NAND Flash和NOR Flash都可能发生比特位反转(但NAND Flash反转的几率远大丁NURrIasn会有坏块两者都必须进行ECC操作;NAND Flash云有可能(出厂时厂家会对坏块做标记),在使用过程中也还有j能会出现新的坏块,因此NAND Flash驱动必须对坏块进行管理。
 
位反转对于用NAND Flash存储多媒体信息时倒不是致命的。当然如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。坏块处理NAND Flash器件中的坏块是随机分布的。NAND Flash器件需要对介质进行初始化扫描来发现坏块﹐并将坏块标记为不可用。
 
1.5易于使用
NAND Flash不能在片内运行程序,而NOR Flash可以。但目前很多CPU都可以在上电时以硬件的方式先将NAND Flash的第一个Block中的内容(一般是程序代码﹐也许不足一个Block,如2KB大小)自动拷贝到RAM中然后再运行。因此只要CPU支持,NAND Flash也可以当成启动设备。由于需要I/O接口,NAND Flash要复杂得多。各种NAND Flash器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND Flash器件时,必须先写入驱动程序﹐才能继续执行其他操作。
 
 
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