美国ISSI SRAM芯片IS62C10248AL

公司介绍

美国ISSI公司近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信，数字消费，工业和医疗市场。这些产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。下面介绍该品牌旗下的低功耗SRAM芯片IS62C10248AL
 
IS62C10248AL描述

ISSI  IS62C10248AL是高速8M位静态RAM，组织为1M字乘8位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
 
当CS1为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。
 
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。
 
IS62C10248AL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA（9mm x 11mm）和44引脚TSOP（TYPE II）中。
 
IS62C10248AL引脚配置（1M x 8低功耗）
   
 
IS62C10248AL特征
•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
– 36 mW（典型值）运行
– 12 µW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
– 4.5V--5.5V Vdd
•三态输出
•汽车温度（-40oC至+ 125oC）
•无铅


美国ISSI SRAM部分型号

型号	容量	位宽	电压	速度（ns）	封装
IS62C5128BL	4Mb	512Kx8	5V	45	SOP(32),TSOP1(32),sTSOP1(32)
IS62C1024AL	1Mb	128Kx8	5V	35	SOP(32),TSOP1(32)
IS62C256AL	256Kb	32Kx8	5V	25,45	SOP(28),TSOP1(28)
IS62C10248AL	8Mb	1Mx8	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
IS62C51216AL	8Mb	512Kx16	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
IS62C25616BL	4Mb	256Kx16	5V	45	TSOP2(44)